微波干燥单晶硅 多晶硅电池片
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关 键 词:多晶硅电池片
行 业:机械 干燥设备 微波干燥设备
发布时间:2021-07-26
、时间短、速度快常规热力干燥是通过热传导,对流或辐射等方式将热量从物体表面传至内部。往往需要较长时间,物体内部才能达到所需的干燥度。介质由性分子和非性分子组成,电磁场作用下,这些性分子从原来的随机分布状态转向依照电场的性排列取向。
而在高频电磁场作用下,这些取向按交变电磁的频率不断变化,这一过程造成分子的运动和相互摩擦从而产生热量。此时交变电场的场能转化为介质内的热 能,使介质温度不断升高,故微波加热是介质材料自身损耗电场能 量而发热。所以微波加热处理时间大大缩短,在一定功率密度强度下,一般只要数十秒、几分钟即能达到满意效果。
2、低温干燥保持微波有热效应的快速升温和非热效应的双重作用,相比常规热力干燥、能在比较低的温度和较短的时间就能获得所需的干燥效果。
3、节约能源微波电能转换效率高,一般在70百分之以上。微波是直接对食品进行作用处理,加热箱体本身不被加热,因而不存在额外的热 能损耗,所以节能省电,一般可节电30—50百分之。
4、均匀彻底常规热力干燥是从物料表面开始,然后通过热传导传至物料内部。物料内外温度存在温差,内外干燥效果一致性差。缩短处理时间,往往内部达不到足够温度而影响干燥效果。采用提高处理温度可有所改 善这一现象,微波具有穿透性能,表面和内部同时作用,能保证内、外部温度一同达到要求值,所以干燥均匀、彻底。
5、便于控制、易实现自动化生产微波食品干燥处理设备操作简单,便于控制,没有热惯性,能根据不同工艺规范要求进行处理,减少生产操作人员,降低生产成本。
通过原材料的筛选、长晶工艺的控制及退火工艺,实现多晶硅靶材原料的高纯度、稳定电阻率、均匀晶粒,并配套完善的检验检测手段以及加工工艺的优化,将多晶硅溅射靶材材料的品质稳定性控制到。
铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂,其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金,其中硼含量在0.025%左右。掺杂量由硅片的目标电阻率决定,电阻率优值为0.02 ~0.05 Ω•cm,对应硼的浓度约为2×1014cm-3。但是,硼在硅中的分凝系数为0.8,会在定向凝固过程中表现出一定的分凝效应,即硼元素在铸锭竖直方向上呈梯度分布,并导致电阻率由铸锭底部到**部逐渐减小。
铸造长晶工艺,是通过控制铸锭炉热场中的加热器温度、隔热材料的散热量,来实现液态硅从底部开始,逐渐向**部的定向凝固,凝固长晶速度为0.8~1.2cm/h。同时在定向凝固过程中,可以实现金属元素在硅材料中的分凝效应,实现大多数金属元素的提纯,并形成了均匀的多晶硅晶粒组织。铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂,其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金,其中硼含量在0.025%左右。
多晶硅是一种重要的溅射靶材材料,使用磁控溅射方法制备SiO2等薄膜层,可以使基体材料具备更好的光学、介电及抗蚀性能,被广泛应用到触摸屏、光学等行业中。
易于控制
与常规加热方法比较,微波加热的控制只要操纵功率控制旋纽,即可瞬间达到升降、开停的目的。因为在加热时只对物体本身加热,炉体、炉腔内空气几乎不加热,因此热惯性小,应用计算机控制,特别适宜于加热过程和加热工艺的规范和自动化控制。