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我们来分析一下EMI的产生，忽略自然干扰的影响，在电子电路系统中我们主要考虑是电压瞬变和信号的回流这两方面。对于电磁干扰的分析，可以从电磁能量外泄方面来考虑，如果器件向外泄露的能量越少，我们可以认为产生的电磁干扰就比较小。对于高速的数字器件来说，产生高频交流信号时的电压瞬变是产生电磁干扰的一个主要原因。我们知道，数字信号在开关输出时产生的频谱不是单一的，而是融合了很多高次谐波分量，这些谐波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降时间来决定，信号上升和下降速率越快，即开关频率越高，则产生的能量越多，长沙GJB151BEMI分析整改元器件。所以，如果器件在很短的时间内完成很大的电压瞬变，长沙GJB151BEMI分析整改元器件，将会产生严重的电磁辐射，长沙GJB151BEMI分析整改元器件，这个电磁能量的外泄就会造成电磁干扰问题。辐射源遮罩能够极大限度的解决EMI问题。长沙GJB151BEMI分析整改元器件
有效降低电路EMI的技巧：因CMOS电路在时脉转换期间吸收的电流要高出平均流耗10mA的标准，而在时脉转换周期之间的流耗非常低甚至为零，所以辐射限制方法是电压和电流的峰值，不是平均值。在时脉转换过程中从电源至晶片电源接脚额电流浪涌是一个主要的辐射源，近端位置增加旁路电容，那晶片所需的电流直接由该电容提供，避免了电流浪涌的产生，减少了杂讯。在晶片电源接脚、I/O接口、重要讯号介面等位置增加旁路电容，有助于滤除积体电路的开关杂讯。晶片电源接脚增加旁路电容(0.1μF)处理，电容要靠近接脚摆放。长沙GJB151BEMI分析整改元器件有效降低电路EMI的技巧：出现在板级连接的场合。
EMI整改和调试是工程师在设计中不可回避的问题：一次性很难通过昂贵的EMI一致性测试；难以捕获偶发的EMI突发信号；需要拥有较长仪器采集时间的实时频谱分析仪才可能捕获EMI突发信号；大多数频谱分析仪不是实时频谱分析仪；EMI调试中很难找到噪声来源；截短PCB线路，然后重连，才有可能找到噪声来源；很难找到导致EMI的模拟信号和/或数字信号。遇到传导测试超标问题，第一步要做的，通常是定位噪声分量主要是差模还是共模，通常的测试设备可以用来区分差共模分量，但个人觉得太麻烦，并且测试出来的是相对值，并不一定可以具备指导意义。简单的办法是，在输入端口并联一个X电容，几十nF到几百nF，如果所关心的频段测试通过了，就说明噪声的干扰主要是差模干扰，或者更准确地说，通过压低差模分量，就一定能够搞定问题。
从我做EMC 的整改经验来看我不能认同这些朋友的意见。对于 EMI 实际测试，整改，有经验都可以拿来大家分享，先不管理论对不对，实际结果是怎样就怎样，继续分享我的经验如下：+12V田字体输出线材上绕 CoRe（常用规格为 KN-RN250080），对辐射 60MHz-70 MHz，有改善.在次级整流管上串磁珠（常用规格为 MD-353015，MD-353012），对辐射 45MHz75MHz，120MHz-200 MHz 均有改善.一次侧地对二次侧地跨 CY 电容（容量范围 470PF-4700PF），此电容好是放在跨主变压器两地之间，对辐射 30MHz-60 MHz，有改善。差分传输在这两根线上都传输信号，这两个信号的振幅相同，相位相反。
刚入EMC坑的很多小伙伴，在面对EMC问题，很多时候应该都会觉的无从下手，或者毫无头绪。至此，为何不反过来从测试得出的数据进行推测分析，下面就列举几个常见的EMI辐射问题分析思路。有规律的单支信号.有规律的单支信号，大部分都是时钟信号。因为时钟是一个稳定的单一频率信号，所以在频率上呈现为一根根的单支，且DB也不会太低，大多数时钟超标的同时，它的倍频也会呈现相应的状态。因此，在分析数据的时候，只要对比每个单支之间的差数，基本可以确定问题点。例如：48.15MHZ的时钟问题！后6号点和5号点的频率是337.05 MHz与385.2 MHz[385.2-337.05=48.15],且第11号点为 963MHz=48.15MHz X 20。信号端口滤波的好坏是影响设备EMI是否超标的一个重要因素。长沙GJB151BEMI分析整改元器件
在两根线上的传输的信号就是差分信号。长沙GJB151BEMI分析整改元器件
20-30MHZ，（整改建议）1、对于一类产品可以采用调整对地 Y2 电容量或改变 Y2 电容位置；2、调整一二次侧间的 Y1 电容位置及参数值；3、在变压器外面包铜箔；变压器里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。因为它们的固有的电流及电压波形，以非常快速的开关时间变化。200MHZ 以上，开关电源已基本辐射量很小，一般均可过 EMI 标准。修改 Inlet 上 L.N 对 GND 并的 CY 电容（容量范围 470PF-4700PF），对辐射的 50MHz-110MHz，190MHz-240MHz 均有改善.高压地对 Case 地跨 CY 电容（容量范围 470PF-4700PF），对辐射 40MHz-55MHz，80MHz-130MHz，160MHz-180MHz，均有改善。高压电容正负极并瓷片电或 SMD 电容（容量范围1000PF-4700PF/1KV），对辐射 40MHz-90MHz，110MHz-170MHz 均有改善。长沙GJB151BEMI分析整改元器件
扬芯科技（深圳）有限公司位于大浪街道新石社区华联工业区28号1202，是一家专业的扬芯科技(深圳)有限公司成立于2018年11月01日，注册地位于深圳市龙华区大浪街道新石社区华联工业区28号1202，法定代表人为杨红波。经营范围包括一般经营项目是：通讯设备、汽车零部件、消费电子产品的集成电路、元器件设计与开发；自动化检测系统集成及解决方案的开发、销售及技术咨询；国内贸易、货物及技术进出口。公司。扬芯科技,扬芯是扬芯科技（深圳）有限公司的主营品牌，是专业的扬芯科技(深圳)有限公司成立于2018年11月01日，注册地位于深圳市龙华区大浪街道新石社区华联工业区28号1202，法定代表人为杨红波。经营范围包括一般经营项目是：通讯设备、汽车零部件、消费电子产品的集成电路、元器件设计与开发；自动化检测系统集成及解决方案的开发、销售及技术咨询；国内贸易、货物及技术进出口。公司，拥有自己独立的技术体系。我公司拥有强大的技术实力，多年来一直专注于扬芯科技(深圳)有限公司成立于2018年11月01日，注册地位于深圳市龙华区大浪街道新石社区华联工业区28号1202，法定代表人为杨红波。经营范围包括一般经营项目是：通讯设备、汽车零部件、消费电子产品的集成电路、元器件设计与开发；自动化检测系统集成及解决方案的开发、销售及技术咨询；国内贸易、货物及技术进出口。的发展和创新，打造高指标产品和服务。诚实、守信是对企业的经营要求，也是我们做人的基本准则。公司致力于打造高品质的近场辐射问题解决方案，辐射抗扰度问题解决方案，辐射杂散预测试系统，射频干扰问题解决方案。
