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青岛小型纯净水设备报价 高纯水机**纯水设备
价格：78900.00起
江门市科领水处理设备有限公司
联系人：林海森
电话：13664949385
地址：广东省江门市广东江门市潮连镇卢边工业区
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关 键 词：青岛小型纯净水设备报价
行 业：包装 通用包装机械 灌装机
发布时间：2021-05-11
高纯水设备、**纯水设备简介
电去离子Electrodeionization，简称EDI，又称连续电解除盐技术，它科学地将电渗析技术和离子交换技术融为一体，通过阴、阳离子的选择透过作用以及离子交换树脂对水中离子的交换作用，在电场的作用下实现水中离子的定向迁移，从而达到水的深度净化除盐，并通过水电解产生的氢离子和氢氧根离子对装填树脂进行连续再生，因此E水过程不需酸、碱化学药品再生即可连续制取高品质**纯水。
半导体、集成电路芯片及封装、液晶显示、高精度线路板、光电器件、各种电子器件、微电子工业、大规模、**大规模集成电路需用大量的纯水、高纯水、**纯水清洗半成品、成品。集成电路的集成度越高，线宽越窄，对水质的要求也越高。目前我国电子工业部把电子级水质技术分为五个行业等级，分别为18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm，以区分不同水质。
纯净水设备、高纯水设备和**纯水设备的技术参数
产水量
根据需求订制（0.5-300吨/时）
原水源
自来水或地下水（电导率小于400us/cm）
产水水质
电导率小于0.056us/cm(电阻率≥18MΩ/cm)
设备功率
5KW-800KW
运行状态
自动运行、定时反洗
反洗频率
随进水水质而变化（1～3天）
化学清洗
随膜材质及膜污染情况而定
产品特点
人机对话、运行稳定、水质可靠
进水要求：
以下是保证 EDI 正常运行的条件。为了使系统运行效果更佳，系统设计时应适当提高这些条件。
★给水：RO 纯水，一般水的电导率为 4-30us/cm。
★PH：5.0-8.0(在此 PH 条件下，水硬度不能太高)
★温度：5-35℃
★进水压力：为 4kg/cm2(60psi)，小为 1.5kg/cm2(25psi)。
注意：组件压力损失取决于流量和水温。
EDI 组件标准配置：
★出水压力：浓水和电极水的出口压力必须低于产品的出口压力。
★硬度（以 CaCO3 计）：为 1.0ppm，建议采用 0.1ppm。
★**物：为 0.05ppm (TOC)。
★氧化剂：为 0.05ppm（CL2），0.02ppm（03）建议两者都没有。
★变价金属：为 0.01 ppm (Fe)。
★二氧化硅：50-150ppb。
★二氧化碳 CO2 的总量：二氧化碳含量和 PH 值将明显影响产品水电阻率。在大于10ppm 时，一般应在 EDI 设备前安装脱气装置。
反渗透设备、水处理设备的处理方法
一、沉淀法：以大容积、低流速的自然沉淀方法对水预进行处理，如沉淀池。
二、混凝法：利用铁、铝、高分子等混凝剂，与水中的杂质通过絮凝和架桥作用生成大颗粒沉淀物，再通过其它设备，予以去除。
三、过滤法：将被 处理的水，流经装有过滤材料的装置，截留水中杂质，予以去除。
四、软化法：采用化学药剂或阳离子交换树脂方法，使水中的钙、镁、铁离子去除。
五、消毒法：加入药剂或使用紫外线、臭氧等方法，消除水中的微生物、等。
纯净水设备、反渗透设备的预处理系统
作为纯净水生产的依托是非常重要的。所以要生产纯净水一定是要选择原水水质比较好的地方。如山泉、深井等。在这里牵扯到一个非常重要的指数就是“电导率”，一般而言电导率越低，水越纯净。水处理工艺都是采用的反渗透系统，经过处理后的水一般能达到90%——99%的脱盐率；下面我介绍一下这个系统的组成部件。
1、原水泵
原水泵是为原水预处理系统提供原水压力的作用。如果原水有压力就完全可以不用这个设备。一般要求原水压力>=0.3MPa
2、原水箱
原水箱的作用更简单，是储存原水用的。这是怕原水万一供不上作一个中转（通常添加浮球开关是整个系统自动化程度更高）。
3、石英砂过滤器
采用石英砂滤料以除去原水中较大颗粒的悬浮物、泥沙、杂质等，降低水的混浊度。而且还可以使水中的**物质、、病毒等随着浊度的降低而被大量去除，并为滤后消毒创造了良好条件。
4、活性炭过滤器
利用活性碳的吸附能力有效地吸附原水中的**物、游离性余氯、胶体、微粒、微生物、某些金属离子及脱色等。
5、软化系统（加药系统）
利用离子树脂的交换性能，除去原水中的钙镁离子，以达到防止后继设备结生水垢的影响，但是操作起来费工，费料。改为加药系统直接向里添加阻垢剂。
主要解决以下问题：
1、防止**物污染；
2、防止胶体物及悬浮固体微粒堵塞；
3、防止氧化性物质对膜的氧化破坏；这样可保证反渗透装置稳定运行以及正常的使用寿命。
4、防止反渗透膜面结垢CaCO3、CaSO4、SrSO4、CaF2、SiO2、铁、铝氧化物等在膜面沉积
