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关 键 词：常用7脚开关电源芯片逆变
行 业：电子 电源/电池 电源适配器
发布时间：2021-01-22
开关电源是利用现代电力电子技术，开关电源芯片，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成。随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源技术也在不断地创新。目前，原边反馈开关电源芯片，开关电源以小型、轻量和效率高的特点被广泛应用几乎所有的电子设备，是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式，那国内常用开关电源芯片和5W开关电源方案就是在功率且比较节能的一种。
1：PN8306芯片集成抖频功能可优化EMI表现，突发模式能降低系统的待机功耗，极低的启动电流和软启动控制电路保证系统快速安全的启动。
2：PN8370芯片提供了完整的保护功能，包含VDD欠压保护（UVLO）、逐周期电流保护（OCP）电流过压保护（OVP）、过温保护（OTP）、短路输出保护（OLP）和CS开/短路保护等。
3：高精度副边反馈开关电源芯片具有的抖频功能，可以提供更好的EMI性能，能广泛应用于充电器、PDA/数码相机充电器、电视/个人电脑的辅助电源、可替代线性稳压器/RCC 电源等。
深圳市骊微电子科技有限公司是一家专注于开关电源方案的供应商，为中小电源厂细分市场提供电源DEMO设计整套方案，帮助客户作方案认证，EMI测试调机，样机测试承认，小批量产跟线服务，批量出厂后质量反馈跟踪。
在深圳市骊微电子科技有限公司看来目前 开关电源芯片 的控制技术主要有脉冲宽度调制(PWM)；脉冲频率调制(PFM)；脉冲宽度频率调制(PWM-PFM)这三种，下面让我们看下他们的原理和优缺点分析。
开产电源芯片如果脉冲宽度调制(PWM)：脉宽调制PWM是开关型稳压电源中的术语。这是按稳压的控制方式分类的，除了PWM型，还有PFM型和PWM、PFM混合型。脉宽宽度调制式（PWM）开关型稳压电路是在控制电路输出频率不变的情况下，通过电压反馈调整其占空比，从而达到稳定输出电压的目的。
开关电源芯片如果脉冲频率调制(PFM)：一种脉冲调制技术，调制信号的频率随输入信号幅值而变化，其占空比不变。由于调制信号通常为频率变化的方波信号，因此，PFM也叫做方波FM。
PWM是频率的宽和窄的变化,PFM是频率的有和无的变化, PWM是利用波脉冲宽度控制输出,PFM是利用脉冲的有无控制输出，其中PWM是目前应用在开关电源中为广泛的一种控制方式，它的特点是噪音低、满负载时效率高且能工作在连续导电模式，现在市场上有多款性能好、价格低的PWM集成芯片；PFM具有静态功耗小的优点，但它没有限流的功能也不能工作于连续导电方式。
与PWM相比，PFM的输出电流小，但是因PFM控制的DC/DC变换器在达到设定电压以上时就会停止动作，所以消耗的电流就会变得很小。因此，消耗电流的减少可改进低负荷时的效率。PWM在低负荷时虽然效率较逊色，但是因其纹波电压小，且开关频率固定，所以噪声滤波器设计比较容易，消除噪声也较简单。
若需同时具备PFM与PWM的优点的话，可选择PWM/PFM切换控制式DC/DC变换器。此功能是在重负荷时由PWM控制，低负荷时自动切换到PFM控制，即在一款产品中同时具备PWM的优点与PFM的优点。在备有待机模式的系统中，采用PFM/PWM切换控制的产品能得到较高效率。
在深圳市骊微电子科技有限公司看来PFM相比较PWM主要优点在于效率 1、 开关电源芯片 对于外围电路一样的PFM和PWM而言,其峰值效率PFM与PWM相当,但在峰值效率以前,PFM的效率远远高于PWM的效率,这是PFM的主要优势.2、PWM由于误差放大器的影响，回路增益及响应速度受到限制，PFM具有较快的响应速度PFM相比较PWM主要缺点在于滤波困难滤波困难(谐波频谱太宽。3、峰值效率以前,PFM的频率低于PWM的频率,会造成输出纹波比PWM偏大。4、PFM控制相比PWM控制 IC 价格要贵。
PFM之所以应用没有PWM多主要的一个原因就是另外一个原因就是PWM的巨大优点了：控制方法实现起来容易，PFM控制方法实现起来不太容易。
PN8370集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的RCS电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
PN8368集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8368为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准。
