高功率电源IC CR6267SK 关键词3
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关 键 词：CR6267SK,高功率电源IC
行 业：仪器仪表 电子元器件 电源IC
发布时间：2021-01-21
电源IC 应用发展：
电子技术的快速发展表现在小型化、节能环保、功能强大、价格下降等方面, 对电源管理提出新的挑战, 具体有以下几个特点：
封装要求
由于产品散热要求高, 需要将新型、小型的封装技术引人到电源产品中。另外对于功能整合,SiP可能在SoC尚未成型之前, 成为一个重要的解决方。SiP是将不同的芯片或其它组件, 通过封装制程整合在一个封装模块内, 以执行相当于系统层级的功能。
良好的服务
因电源IC通用型都不强, 作为配套产品与整机厂协作, 一是要说服人家采用, 二是需要提供良好的服务。
其他对电源的要求有高性价比、生产的可靠性等。另外从目前产业状况来看, 电源管理IC的设计人才, 要比数字IC缺乏, 而且电源IC需要的知识面和经验度高。
值得一提的是数字电源芯片产品, 近两年来该产品一直是业界关注的焦点, 但却叫好不叫座, 市场推广应用一直没有实现高速发展, 而且从目前来看数字电源在近一两年仍然难有大的突破。首先是因为下游厂商对数字电源芯片的认可、评估、产品设计和量产规模采购等都需要一定时间, 其次是数字电源芯片本身在响应速度、成本和面积等方面可能和传统模拟电源芯片相比存在一定差距,还有就是设计人员本身的习惯, 以及使用数字电
源的产品设计复杂程度等问题。此外, 由于目前数字电源供应商较少, 销售渠道开拓远远不够, 所有这些因素都可能成为数字电源大规模推广应用的障碍。
整合电路设计
目前各种功能高度的整合已经成了电子产品的宿命, 如现在的手机就将通信、PDA、GPS、电视等集成在一起, 要避免相互间的干扰, 需要电源也随之改变。
虽然整合模拟和数字电路的SoC设计概念日益普及, 但市面上号称的SoC芯片却因数字、模拟制程整合不易、成本过高和效能不若预期, 因而形成高整合度和高效能间的两难, 因此部分模拟电路如电源管理IC在短期内并不适合作整合, 仍将持续独立于SoC芯片之外。
电源转换效率提升
不同的半导体制程需要不同的供电电压, 形成多而广得输入电压, 对电源管理提出挑战。而且新的替代能源的使用, 以及节能环保的要求加强电源管理功能。
手机中电源IC的应用
手机是电源管理IC为重要的应用场合。多媒体和3G手机对高画质视频、多媒体数据流、音频播放、清晰的显示及多娱乐等需求不断提升, 但这些功能却会大量消耗电源, 其中绝大多数的电源电压并不相同, 随着电流需求不断增加, 使得它们需要多电能, 例如从2G语音电话升级到3G视讯电话后, 对功率需求便增加一倍。在同一手机中融人多元化的功能, 其功率消耗也会随之增加, 这是未来电源管理芯片发展的明确趋势。
由于手机大量采用LDO来为手机各个部件进行供电,LDO 虽然具有成本低、封装小、器件少和噪音小的特点, 但其转换效率低, 且只能用于降压的场合, 加上LDO效率取决于输出/输入电压之比, 在输入电压为3.6V、输出电压为1.5V的情况下, 效率只有41.7%, 这样低的效率在输出电流较大时, 不仅会浪费很多电能, 而且会造成芯片发热影响系统稳定性。而3G手机各个部件需要多个电压等级的供电, 在很多情况下, 尤其是压差大的情况下, LDO已经难以满足供电需求, 因此DC/DC的解决方法成为一种取代LDO的解决方案。
DC/DC转换的优势是升、降压均适用, 效率又高, 目前已经有自动PFM/PWM方式和用DC/DC+LDO双模式的电源管理解决方案, 虽然无论哪种方案成本都将**LDO, 但的确能够解决LDO低效和只能用于降压的问题, 未来3G手机产量的提高和手机电源管理功能的提升, 将在一定程度上手机电源管理IC市场的发展。
大电流/低输出电压的应用
由于数字芯片的时钟越来越快, 意味着驱动电流越来越大, 以前只需要线形稳压, 现在就需要开关式稳压, 以前仅需要一相电源, 现在就需要两相或多相电源。另外CPU由于速度越来越快, 散热已成为其发展的瓶颈, 因此采用多核心技术, 英特尔已经在规划80个core的CPU, 对电源要求高。
CR6850D 是一款高集成度，低功耗的电
流模 PWM 控制芯片，该芯片适用于离线式
AC-DC 反激拓扑的小功率电源模块。芯片可
以通过外接电阻改变工作频率；在轻载和无负
载情况下自动进入 PFM 和 CRM，这样可以
有效减小电源模块的待机功耗，达到绿色节能
的目的。CR6850D 具有很低的启动电流，因
此可以采用一个 2 兆欧姆的启动电阻。为了提
高系统的稳定性，防止次谐波振荡，CR6850D
内置了同步斜坡补偿电路；而动态峰值限制电
路减小了在宽电压输入(90V~264V)时大输
出功率的变化；内置的*消隐电路可以消除
开关管每次开启产生的干扰。CR6850D 内置
了多种保护功能：过压保护 、逐周期峰值电
流限制、欠压锁定（可以用它实现短路和过流
保护）以及输出驱动的高电平钳位在 16.8V
以下。而驱动输出采用的图腾柱和软驱动有效
降 低 了 开 关 噪 声 。 CR6850D 提 供
SOT-23-6L，SOP-8L 和 DIP-8L 无铅封装。
CR5822 有三种工作模式，分别是：重载时的准谐振（QR）模式，轻载时的 PFM 模式
和空载时的突发模式。系统工作于哪一种模式取决于 FB 电压，详见电特性指标。
QR 模式可以使功率 MOSFET 在其 Drain 端电压低时开启，实现了软开关功能，可以
有效的降低功耗，提高效率。在芯片内部还专门为 QR 模式设置了频率的上限（130kHZ）
和下限点（40kHZ），保证系统工作在一个可靠的频率范围并拥有良好的 EMI 特性。
当系统的负载减小时，PFM 模式可以使功率 MOSFET 的开关频率随负载的降低而降低，
减小了不必要的开关损耗，与固定频率的 PWM 模式相比，拥有高的效率。在负载很轻或
空载状态下，突发模式可以长时间的关闭功率 MOSFET。这可以大限度的避免不必要的
开关动作，提高效率。突发模式的工作频率是 20KHZ。
通过这种方式，可以大限度的降低开关损耗，实现高效率。
