价格：820起
安徽赛福电子有限公司
联系人：周耀宗
电话：+8613305621817
地址：中国 安徽 铜陵市狮子山区 栖凤路1771号
赛福1500VDC 500UF高压脉冲滤波抑制电磁干扰薄膜电容能够在较长时间内充电，而在较短时间内放电，从而形成一个很大的脉冲功率。脉冲功率的获取是靠已充电的脉冲电容器组，通过主电抗器短时振荡放电获得的，而脉冲电容器组是在试验前由功率不大的充电装置，用较长的时间充电，振荡放电为数十毫秒，从而大大增加了试验功率与电源功率之比，改变了经济效率。
主要特点：
·功耗低，适宜于大功率、大电流、高耐压、高浪涌应用；
·具有较好的容量和体积性能比
·随温度变化小，使用时间加长；
·反峰电压可达较高；
·高储能,耐高脉冲电流能力；
·自恢复特性好；
·低电感,低ESR；
·外壳材料为不锈钢或冷轧板、安装方便 。
主要产品参数：
·容量范围：C=100μF～6000μF；
·容量偏差：一般±5%，根据要求可以定制；
·额定电压：Un=1KV～5KV；
·等效串联电阻：ESR≤5mΩ
·反峰电压可达80%以上；
·充放电次数：可达2，000，000次；
·损耗角正切：tgδ≤0.002（100Hz）；
·使用环境温度宽：-40℃～+75℃；
·使用标准：JB/T8168 或客户要求。
该电容器应用于充磁机、退磁机，激光电源，储能焊接机等；直流高压设备、整流滤波装置振荡回路、
连续脉冲装置，冲击电压发生器、冲击电流发生器、冲击分压器及其他非连续脉冲装置。
主要产品规格：
产品型号
电压（KV）
容量（μF）
MFO(D)1K001007
1.0
1000
MFO(D)1K002007
1.0
2000
MFO(D)1K005007
1.0
5000
MFO(D)1K205006
1.2
500
MFO(D)1K201007
1.2
1000
MFO(D)1K202007
1.2
2000
MFO(D)1K505006
1.5
500
MFO(D)1K501007
1.5
1000
MFO(D)1K501507
1.5
1500
MFO(D)1K602006
1.6
200
MFO(D)1K605006
1.6
500
MFO(D)1K601007
1.6
1000
MFO(D)1K601507
1.6
1500
MFO(D)2K002006
2.0
200
MFO(D)2K005006
2.0
500
MFO(D)2K001007
2.0
1000
MFO(D)2K205006
2.2
500
MFO(D)2K201007
2.2
1000
MFO(D)2K502006
2.5
200
MFO(D)2K505006
2.5
500
MFO(D)3K002006
3.0
200
MFO(D)3K005006
3.0
500
MFO(D)4K002006
4.0
200
MFO(D)4K005006
4.0
500
MFO(D)4K502006
4.5
200
MFO(D)4K505006
4.5
500
MFO(D)5K002006
5.0
200
MFO(D)5K005006
5.0
500
以上数据仅供参考，根据用户要求，我们可以设计、制造其它规格要求的脉冲电容器。
公司拥有大型高真空镀膜机6台、智能化分切机18台、自动化卷绕机8台、真空油处理系统、真空高压测试台、交流测试台等设备，建立了电容器用金属化薄膜和薄膜电容器生产线。
只要非人为损害、使用环境正常，我公司均愿意承担售后问题。
祝愿来购的每位顾客，让您有一份让您满意、愉快的购物经历！