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关 键 词：小米手机充电器电源芯片PN8306
行 业：电子 电源/电池 电源适配器
发布时间：2020-12-08
骊微电子代理的电源芯片AP8022内部集成有电流型PWM（脉冲宽度调制）控制器、固定频率为55KHz的振荡器和击穿电压为730V的高压功率场效应管。骊微电子代理的该电源芯片内部还集成有过热、过压、过流保护电路和用于电源启动的高压电流源。以AP8022为核心元件构成的开关电源具有输入电压适应范围宽（85-265V）、电源转换效率高、电路简捷、成本低廉等特点。AP8022引脚功能为：①、②脚内置场效应开关管源极，在电路板上接地端，③脚反馈输入端，④脚供电端，⑤-⑧脚接内部场效应开关管漏极。
PN8368产品特点：
内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）
采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度
原边反馈可省光耦和TL431
恒压、恒流、输出线补偿外部可调
无需额外补偿电容
无音频噪声
智能保护功能
过温保护 (OTP)
VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
CS开/短路保护 (CS O/SP）开环保护 (OLP)
PN8368为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）
小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的RCS电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
PN8307H包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8307M集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、小导通时间等功能。
PN8161产品特征：
■ 内置650V高雪崩能力的功率MOSFET
■ 准谐振工作
■ 高开关频率125kHz
■ 精简，无需启动电阻及CS检测电阻
■ 高低压脚位两侧排列提高安全性
■ 内置高压启动，空载待机功耗<50mW @230VAC
■ 改善EMI的频率调制技术
■ 供电电压8-40V，适合宽输出电压应用
■ 优异全面的保护功能
? 过温保护 (OTP)
? 输出过压保护
? 逐周期过流保护 (OCP)
? 输出开/短路保护
? 次级整流管短路保护
? 过负载保护（OLP）
PN8307H应用领域
■ QC3.0充电器及适配器
■ 适配器
