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关 键 词：三星手机充电芯片PN8160
行 业：电子 电源/电池 电源适配器
发布时间：2020-11-10
电源管理芯片AP8022构成开关电源的过流保护、过压保护、过热保护均由AP8022内部电路完成。在AP8022外部的保护电路主要是由R1、C1、D5组成的消尖峰电路，在AP8022内部场效应开关管截止瞬间，吸收开关变压器TB1①-②绕组产生的尖峰脉冲电压，保护AP8022内部的场效应开关管不被过高的尖峰电压击穿。
骊微电子代理的PN8370M+PN8306M方案亮点：简洁（节省8颗元件）:PN8370M节省2颗启动电阻；PN8306M*特控制技术可实现零工作，节省传统SR方案的供电RC滤波，SW侦测电阻，RT电阻，RC吸收等6颗元件，实现SR与PSR零直通风险；
PN8036M非隔离ac/dc电源芯片集成全面的保护功能，包括：过温保护、VDD欠压保护功能，并且这些保护具有自恢复模式。
过温保护------当芯片结温**过150℃，芯片进入过温保护状态，输出关闭，当芯片结温低于120度，芯片重新启动。
VDD欠压保护------当芯片VDD电压低于VDDoff，芯片重新启动。芯片异常自恢复的时间通过VDD电容调整，VDD电容越大，自恢复时间越长。
PN8036M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、**低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8036M的降频调制技术有助于改善EMI特性，下面跟随骊微电子小编芯朋微代理详细了解非隔离ac/dc电源芯片PN8036M小家电方案。
PN8147的特点:
1. 待机功耗可显着降低（小于50mW），因为IC自身工作电流较小，且内置高压启动MOS管，IC启动之后自动关闭启动管；
2. *高压启动电阻和VDDG电阻，元件精简，且启动更快速（小于200ms），比普通高压电阻启动快10倍。
3. EMI特性好，CE裕量大于8dB（无输出共模电感），RE裕量大于5dB（无输出共模电感）；
4. 内置16级软启动功能，更安全。
5. 内置功率MOS管内阻小（1.7-4Ω），同等输出功率下的温升更低。
6. 可承受任何外接元件的开短路/反接破坏测试，包括CS短路保护，防止产线加工时CS电阻短路而烧毁IC，承受任何外接元件的开短路/反接破坏测试，提高产线直通率；很多竞争产品在CS短路后开机必炸机。
7. 采用自主设计的高雪崩能力智能开关MOSFET，在18W反激系统中去掉RCD/ AC264V下仍能正常工作不烧毁，可见该核心功率器件的耐冲击强度。
8. 通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种混合调节模式技术，在适当的设计方案中，完全可满足六级能效的四点平均效率标准（带输出线）。
PN8147六级能效电源适配器IC方案芯朋微一级代理
深圳骊微电子多年来作为芯朋微一级代理，深受广大客户的支持和爱戴，同时也是一家电源方案设计公司，并把芯朋微的IC产品大量应用电源方案中，为客户提供低成本，高性能的电源方案。
