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北京电联港电器设备有限责任公司
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纳米ZnO技术 1、高电位梯度：近年国内外的研究结果表明，ZnO芯片的电位梯度取决于单位厚度内的晶界数目，液相扩散控制ZnO晶粒的生长速度；而晶界数目又是由ZnO晶粒粒径所确定的，故减小ZnO晶粒粒径是提高ZnO芯片电位梯度的主要途径。 纳米ZnO是由较细晶粒组成，其特征维度尺寸（晶粒尺寸、晶界宽度、*二相分布等）是纳米数量级。以纳米ZnO为核心的高梯度配方的设计，能够有效增加晶界层数量、抑制晶粒生长速度及提高势垒高度，能够大幅提高单位面积的通流能力，能够大幅提高电位梯度。 2、高能量耐受：同单位体积的能量耐受，主要体现在ZnO芯片击穿。其主要原因是由于电流分配不均匀导致热能汇集某一点，较终归结于微观组织结构的不均匀性所致。这就要求尽可能从制造工艺上提高ZnO芯片结构和成分均匀性、减少陶瓷本体内部缺陷。 在原料的选用上，纳米ZnO粒子作为联系宏观物体及微观粒子的桥梁，其表面效应伴随着粒径的减小，表面原子数的迅速增加，纳米粒子的表面积、表面能都迅速增大。表面原子周围缺少相邻的原子，有许多悬空键，具有不饱和性爿质，易与其它原子相结合而稳定下来，故具有很大的化学活性。 在添加剂的选用上，使用易于分散、活性较高的改性纳米BiO 3 ，有助于提高烧结过程中的传质速度，有助于改善液相对界面的侵忄润性，形成良好的晶界面。纳米材料的配方、新型高效分散设备的应用和窑炉曲线的调整，对于芯片均匀 性改善均起到显着作用，对于单位体积能量耐受能力提高起到显着作用。 热能聚中技术 1、高安全性：热能聚集人为控制在中心区域；非中心区域的温度，.电联港电器|||质量好电涌保护器生产商 ，北京电联港电器设备有限责任公司,电联港电器,要远低于中心区域。从而**了热脱离器脱离前，非中心区域的温度，一直处于安全温度；避免热脱离器脱离过程中，非中心区域的某点温度，可能已经**过甚至远**过警戒值，进而可能引发火灾，**了客户设备的安全运行。 2、TOV快速、准确:热能聚集人为控制在中心区域；芯片的热能，传导到脱离器的传导距离较短、传导热能较多、传导热能较集中、传导速度较快，**热脱离器能够较快速度准确脱离。**了客户设备的TOV的快速、准确。 SPD选型原则 1、级间配合：电涌保护器SPD2 安装在 SPD1的下游, 通常它的各项参数指标(Imax, In, Ures)都比 SPD1小。但如果它与 SPD1安装得过近, SPD2 有可能比 SPD1更早动作, 从而要承受本由 SPD1承受的高能量。 一定要按逐级分流、分级保护的方法，才能保证SPD即有很长的寿命，又能把电源系统雷击电涌电压限制在设备能承受的水平内。 2、15米原则：当进线端的SPD与被保护设备之间的距离 > 15 米， 应在离被保护设备尽可能近的地方安装另一个电涌保护器 3、10米原则：当保护SPD1和SPD2作为级联安装时，.电联港电器|||质量好电涌保护器生产商 ，SPD1和SPD2之间的较短距离：10 米。目的为了延迟SPD2上雷击波的到达，以使尽可能多的能量被SPD1释放。 4、50CM原则：进线和出线可以直接并接，也可以用V形接法（凯文接线）连接。直接并接要求a+b≤0.5m, 而V形接法只要求a≤0.5m，以减少引线电感电压降对被保护设备的冲击。 .电联港电器|||质量好电涌保护器生产商