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深圳市骊微电子科技有限公司
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PN8366芯朋微5V/1A充电器应用方案该电路图中R6,R5,R11为反馈分压电阻，通过辅助绕组检测次级的电压，使输出电压维持在5V。D1，R3 以及R4，C7 组成RCD 箝位电路，用于吸收功率MOS（集成于PN8366 内部）漏源端尖锋电压。骊微电子代理的PN8366是一款高性能的原边反馈控制器。PN8366工作在原边检测和调整模式，可省略系统的光耦和TL431。PN8366拥有恒压恒流控制环路，可以实现高精度的恒压、恒流输出，以满足大部分充电器和适配器需求。PN8366内置高压启动电路和较低的芯片功耗使得系统能够满足较高的待机功耗标准。1. 高压启动控制.在启动阶段，采用高压启动技术，芯片启动前1.5mA电流源为内部偏置电路供电并给外部VDD电容充电，快速启动。当VDD电压达到VDDon，芯片开始工作的同时高压启动电路关断；只要VDD电压不低于VDDoff，芯片维持正常工作。启动后，偏置电路通过辅助源供电，同时启动电路只有一路较小的电流，实现低损耗。2. CC工作模式在CC工作状态，PN8366采样FB引脚的信号（由辅助绕组信号通过电阻分压），辅助绕组信号脉宽决定振荡频率。输出电压越高，脉宽越小，同时振荡频率越高，这样可获得恒定的输出电流。3. CV工作模式在CV工作状态，PN8366使用脉冲采样VFB电压，并保持到下个采样点。将采样的电压和VREF_CV基准比较，并放大误差。这个误差值代表负载情况，通过控制开关信号，调节输出电压，使得输出恒定。在重载条件，芯片工作在PFM_QR模式，Ipeak不变，工作频率随输出电流减小而减小；当频率减小到25kHz左右，芯片进入PWM_QR模式，频率调制变得非常缓慢，Ipeak随输出电流减小而减小，该模式可以避免音频噪音，同时有利于提升25%带载效率；当芯片Vcs调制到170mV，芯片进入空载模式（Standby模式），Ipeak不变，工作频率随输出电流减小而减小。4. 电流检测和*消隐PN8366提供逐周期电流检测功能。芯片通过CS引脚的电阻检测功率管电流，CC模式设置点和较大输出功率都通过外部调整CS引脚上的电阻实现。功率管开通瞬间会产生尖峰电压，内部*消隐电路可防止误触发而不需要额外的RC滤波电路。5. 可编程线缆补偿功能线缆补偿模块通过FB引脚输出一路补偿电流，流入分压电阻，如图3所示，改变电压反馈值，可以使输出线损压降得到补偿。当负载从满载减小到空载时，线损压降也同样减小。PN8366通过设置FB电阻的阻值可以调整线补偿的幅度。由于受到芯片采样位置和系统其他器件的影响，实际线补偿幅度小于理论计算值，但是趋势不会改变。6. 基准负温度补偿PN8366的VREF_CV电压基准采用负温度补偿技术，常温下，VREF_CV电压基准为2.5V；芯片温度上升时，VREF_CV电压基准值随着温度上升而变小，可以使△V随着温度上升而变小得到补偿，让输出电压Vo在全温度范围内恒定，提高了恒压输出精度。7. 准谐振模式PN8366包含一个*特的准谐振开关电路。在CV工作状态下，这个电路检测每一个谐振周期的谷底位置，让芯片每个开关周期都在谷底导通。这个*特的电路可以减少系统的开关损耗。同时，准谐振模式可以让芯片的开关频率在不同的开关周期之间轻微的变化，提高EMI的裕量。8. 保护控制PN8366含有丰富的保护功能，包括：逐周期过流保护、过压保护、过温保护、开环保护、输出短路保护、CS电阻开/短路保护、VDD欠压锁定保护功能，并且这些保护具有自恢复模式。深圳市骊微电子科技有限公司凭借良好的信誉、服务以及稳定的客户资源，合作成为芯朋微一级代理商，为广大客户在售前、售中和售后各环节提供更加优质的技术、产品与服务，并提供电源领域相关软硬件设计，方案设计、测试、客诉等一条龙技术服务，系统解决客户技术后顾之忧。PN8366 内置高压启动功能，可以在200mS 以内完全启动；当PN8366 本体温度太高时，其内置的OTP 保护功能会及时动作，关闭IC，以保护整个系统，温度下降之后再自动重启；电路具有输出短路保护，输出过流保护，开环保护， VDD 过压保护等功能，以提高整个系统的可靠性；当反馈脚FB 的分压电阻开路或短路时，系统都会进入保护状态；当CS 脚短路（或Rcs 短路）时系统会发生保护并进入Latch 状态，以确保系统不会被损坏；C1，L2，C2 组成π 性滤波，以改善EMI 性能；PCB LAYOUTPCB 为普通单面板工艺，双面元器件，铜厚1OZ，基材为FR-4。PCB 长40.8mm，宽31mm，厚1mm。PN8366是一款集成**低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700*8366H 800V)，新颖的“频谱扩展”**技术, 大大改善了系统EMI性能，实现了电源系统的低成本化。PN8366产品特点：内置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准全电压输入范围±5%的CC/CV精度原边反馈可省光耦和TL431恒压、恒流、输出线补偿外部可调*额外补偿电容无音频噪声智能保护功能 过温保护 (OTP) VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP) 逐周期过流保护 (OCP) CS开/短路保护 (CS O/SP） 开环保护 (OLP)-/gbaadah/-