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类别 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT） FET 类型 2 个 P 沟道（双） FET 功能 标准 漏源电压（Vdss） 12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.8A 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 61 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 17.9nC @ 8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 915pF @ 6V 功率 - 最大值 1.4W 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装 U-DFN2020-6（B 类）
