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关 键 词：HVPE
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发布时间：2007-09-29
LPCVD用途：用于生长多晶硅、氮化硅、氧化硅及其参杂如 PSG 或 BPSG 等 LPCVD结构：热壁式（传统管式），冷壁式 LPCVD规格：每台配置 1-3 反应管，晶圆的加工尺寸为 2 -8 英寸 基本配置及技术指标： ◇ 结构组成：主机（加热体、反应室等）、气源系统、真空系统、真空压力控制系统、工作台既送片系统、整机的计算机控制系统等； ◇ 主要技术指标（仅供参考）： 1 、温度： 300 ～ 1000 ℃ 2 、恒温区： 760mm ± 1 ℃ ( 热壁式，可形成温度梯度 ) 3 、极限真空度： 8 × 10 -1 Pa 4 、工作真空度： 10 ～ 1000Pa 5 、压力测控范围： 1Pa ～ 1000Pa 6 、适用晶片： 50mm ～ 200mm 7 、装片： 30 ～ 100 片 / 批 8 、淀积膜： Si 3 N 4 、 Poly-Si 、 SiO 2 等等 ◇控制系统：整机控制系统采用工业控制计算机（ WINDOWS 系统界面） ◇气源系统：进口管件阀、自动轨道焊接 ◇典型工艺（仅供参考）： ①氮化硅淀积：提供典型工艺气路（具体根据用户的工艺要求调整） . 参考工艺类型： 3 NH3+4SiH4 → Si3N4+12H2 …… ②多晶硅淀积：提供典型工艺气路（具体根据用户的工艺要求调整） . 参考工艺类型： SiH4 → Si+2H2 …… ③ 二氧化硅淀积：提供典型工艺气路（具体根据用户的工艺要求调整） . 参考工艺类型： Si(OC2H5)4 → SiO2+ 4C 2H4+2H2O （ DCS/N2O 等） …… PSG: TEOS-O2 体系， + 磷烷（亦可磷酸**酯、三氯氧磷） BPSG: 在 PSG 中加入 B2H6 （硼烷）或硼酸**酯 ---- 薄膜淀积工艺（相应的参杂 - 仅供参考，具体可根据客户的情况作相应的调整）。