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深圳市福田区新亚洲电子市场志佳达半导体电子经营部
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供应MOS管6N60场效应管 详细信息 订购说明 品牌:国产 型号:6N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:IGBT绝缘栅比较 详细介绍 当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了,有更多的电子从衬底被拉了上来。同时,空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高,会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子,硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion,反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高,越来越多的电子在表面积累,channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时,不会形成channel。当电压差**过阈值电压时,channel就出现了。