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关 键 词：氮化铌
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发布时间：2013-09-03
氮化铌 性质：典型的B-1型化合物。氯化晶体结构。**导临界温度为17.3K。上临界磁场为43T。临界电流密度Jc，(4.2K，20T)高达2×106A/cm2。热稳定性和化学稳定性高，抗中子辐照，优良的**导薄膜材料。在氩气和混合气体中采用溅射法制取。用于制作高度稳定的**导**仪器器件。