温补晶振（军级TCXO）

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产品规格：TCXO

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包装说明：100/包

关 键 词：温补晶振,TCXO,温补晶体振荡器

行 业：电子 电子有源器件 晶体振荡器 

发布时间：2013-08-27

专业提供高端温补晶振（TCXO，VCTCXO），产品广泛用于通讯、航空、航天、船舶、军事、精确制导、海事通信、数字交换机、网络传输、光通信、雷达、导航、电子对抗、无线通信、仪器仪表、SDH、SONET、ATM、WLL、LTE，基站、蜂窝基站、频率合成器，频率源。

      TCXO：温补晶体振荡器（无压控，不可以校准标称频率）
      VCTCXO：压控温补晶体振荡器（带压控，可以校准标称频率）

一、军工级温补晶振
温补晶振，TCXO，10.000MHz，3.3V，clipped sinewave，-55~+95℃，±0.5ppm，尺寸7×5
温补晶振，TCXO，10.000MHz，3.3V，clipped sinewave，-55~+85℃，±0.5ppm，尺寸7×5
温补晶振，TCXO，15.256MHz，3.3V，clipped sinewave，-55~+85℃，±0.5ppm，尺寸7×5
温补晶振，TCXO，15.250MHz，3.3V，clipped sinewave，-55~+85℃，±0.5ppm，尺寸7×5
温补晶振，TCXO，16.384MHz，3.3V，clipped sinewave，-55~+85℃，±0.5ppm，尺寸7×5
温补晶振，TCXO，18.432MHz，3.3V，clipped sinewave，-55~+85℃，±0.5ppm，尺寸7×5
温补晶振，TCXO，20.000MHz，3.3V，clipped sinewave，-55~+85℃，±0.5ppm，尺寸7×5
温补晶振，TCXO，25.000MHz，3.3V，clipped sinewave，-55~+85℃，±0.5ppm，尺寸7×5
温补晶振，TCXO，32.512MHz，3.3V，clipped sinewave，-55~+85℃，±1.5ppm，尺寸7×5
温补晶振，TCXO，40.000MHz，3.3V，clipped sinewave，-55~+85℃，±1.0ppm，尺寸7×5
温补晶振，TCXO，50.000MHz，3.3V，clipped sinewave，-55~+85℃，±1.0ppm，尺寸7×5
温补晶振，TCXO，40.000MHz，3.3V，sinewave，-55~+85℃，±1.0ppm，尺寸11.4×9.6
温补晶振，TCXO，60.000MHz，3.3V，sinewave，-55~+85℃，±0.5ppm，尺寸11.4×9.6
温补晶振，TCXO，62.000MHz，3.3V，sinewave，-55~+85℃，±1.0ppm，尺寸11.4×9.6
温补晶振，TCXO，63.000MHz，3.3V，sinewave，-55~+85℃，±1.0ppm，尺寸11.4×9.6
温补晶振，TCXO，66.000MHz，3.3V，sinewave，-55~+85℃，±1.0ppm，尺寸11.4×9.6
温补晶振，TCXO，80.000MHz，3.3V，sinewave，-55~+85℃，±1.0ppm，尺寸11.4×9.6
温补晶振，TCXO，100.00MHz，3.3V，sinewave，-55~+85℃，±1.0ppm，尺寸11.4×9.6
温补晶振，TCXO，40.000MHz，3.3V，CMOS，-55~+105℃，±2.5ppm，尺寸14×9.6
压控温补晶振，VCTCXO，10.000MHz，3.3V，clipped sinewave，-40~+85℃，±0.5ppm，5×3.2
压控温补晶振，VCTCXO，16.320MHz，3.3V，clipped sinewave，-40~+85℃，±0.5ppm，5×3.2

二、温补晶振（满足电信设备用标准三级时钟）
压控温补晶振，VCTCXO，10.000MHz，3.3V，CMOS，-40~+85℃，±0.10ppm，尺寸7×5
压控温补晶振，VCTCXO，10.000MHz，3.3V，CMOS，-40~+85℃，±0.28ppm，尺寸7×5
压控温补晶振，VCTCXO，19.200MHz，3.3V，CMOS，-40~+85℃，±0.28ppm，尺寸7×5
压控温补晶振，VCTCXO，20.000MHz，3.3V，CMOS，-40~+85℃，±0.28ppm，尺寸7×5
压控温补晶振，VCTCXO，25.000MHz，3.3V，CMOS，-40~+85℃，±0.28ppm，尺寸7×5
压控温补晶振，VCTCXO，10.000MHz，3.3V，CMOS，-40~+85℃，±0.28ppm，尺寸5×3.2
压控温补晶振，VCTCXO，19.200MHz，3.3V，CMOS，-40~+85℃，±0.28ppm，尺寸5×3.2
压控温补晶振，VCTCXO，20.000MHz，3.3V，CMOS，-40~+85℃，±0.28ppm，尺寸5×3.2
长期全部稳定度<±4.6ppm（20年）
日老化率<±0.01ppm/天，短期频率稳定度（0.1秒）<±1×10-10


四、温补晶振的可靠性
振动：10~20g，10~2000Hz，每个方向30分钟
冲击：1500g，每个方向3次，0.5mS
高低温冲击：-55和+125℃，10分钟，100次