价格:10起
深圳工采网络科技有限公司
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特性: 1. 采用碳化硅(SiC)材料 2. 宽频段(UVA+UVB+UVC) 3. 有效探测区域0.5mm2(SG01D-51LENS敏感区域为11.0mm2,适合探测火焰) 4. 10uW/cm2峰值辐射强度产生约65nA电流,(10uW/cm2峰值SG01D-51LENS约350nA. 5. 芯片高度稳定性(通过德国PTB认证) 关于碳化硅材料(SiC): SiC可承受高强度辐射,近乎**的可见盲区,低暗电流,高速响应和低噪音的*特属性;这些功能使SiC成为可见盲区紫外探测器的较佳使用材料。SiC探测器可以*工作在高达170℃的温度中,信号(响应率)的温度系数也很低,<0.1%/K。由于(fA级别的暗电流)噪音低,很低的紫外线辐射强度也可以可靠地测量,(需要适当的放大器)。 SiC光电二极管可作为未滤波的宽带探测设备或带有光学滤波器,提供对UVA、UVB、UVC波段的响应。 应用领域: 主要用于火焰控制(工业锅炉),水处理( UV强度的保险),UV天文(阵列探测),枪弹跟踪(紫外线照相机),臭氧和污染物监测,火焰感应(火警安全装置油滴监测),测试太阳光中的紫外线强度(礼品、化妆品用具),紫外线灯管的紫外线发生强度测试(医疗器械或民用消毒碗柜的消毒效率检验)等。