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山特UPS电源功率器件MOSFET常常用在频率较高的场合。开关损耗在频率提高时越来越占主要位置。降低山特UPS电源栅电荷，可有效降低开关耗损。
为了降低山特UPS电源的栅电荷，从减少电容的角度很容易理解在制造上应采取的措施。为减小电容，增加绝缘层厚度（在这里是增加氧化层厚度）是措施之一。减低山特UPS电源（山特UPS厂家）电容板一侧的所需电荷也是以后相似的措施，此外，就需要缩小山特UPS电源电容板的面积，就是要减小栅极面积。缩小原胞面积，增加原胞密度从单个原胞来看，似乎可以缩小多晶层的宽度，但从整体来讲，其总的栅极覆盖面积实际上是增加的，从这一点来看，增加原胞密度与减小电容有一定的矛盾。
采用了上述措施，山特UPS电源（山特UPS厂家）产生了第3.5代功率器件MOSFET，也称为低栅电荷MOSFET。第3.5到的米勒电容下降80%。栅电荷下降40%，第3.5代还用许多其他措施来降低RDS(ON)，所带来的好处不仅是开通速度快了。闻声降低了，也提高了山特UPS电源du/dt的能力，增高了山特UPS电源的栅漏电压，同时也降低了驱动电路的费用。对应用工作者来说，将大家最为熟悉的第三代改换用山特UPS电源（山特UPS厂家）第3.5代的时机已经来到，为缓解原胞密度增高后，栅面积增大引起栅电荷过分增大的问题，一种折中的结构也随之出现，就是将漏极的原胞结构改为条状漏极，这时可以有同样窄的栅极（条密度很高）而不至于增加太多栅极面积，使栅电荷得以减小。
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