MMO90-16io6 mos管整流开关电路 可控硅
价格：95.00起
产品规格：
产品数量：
包装说明：
关 键 词：MMO90-16io6
行 业：仪器仪表 电子元器件 二极管
发布时间：2024-08-28
主营：
1、艾赛斯/IXYS、英飞凌/Infineon、三社/SANREX 、西门康/Semikron、富士/Fuji全系列IGBT产品；
2、富士/Fuji、三菱/Mitsubishi、英飞凌/Infineon、西门康/Semikron、仙童、ABB、三社/SANREX、IR、艾赛斯/IXYS、可控硅、单管、整流桥产品；
3、ABB驱动片及驱动板；
4、巴斯曼/Bussmann，西门子/Siemens，法国罗兰、日之出等熔断器&底座等；
❥温馨提示：因产品众多市场价格波动快， 请先询价！！！本公司商品均为正品，实物实拍，优势现货，大量库存~
上海寅涵智能科技发展有限公司本着“品质保证，客户至上”的企业经营理念，“诚信经营、信誉为本”的经营宗旨。坚信客户永远是公司发展的源泉，坚持以市场为导向，以完善的售后服务为承诺，我们积参与推广以及行业交流活动，公司在长期的发展过程中以过硬的产品质量的优势和国内许多大型的公司都建立了长期良好的合作伙伴关系，我们也热诚欢迎国内外客户来我司考察，参观及技术交流；广纳博交的企业精神，寅涵愿与社会各界朋友精诚合作，为广大客户提供优良的产品、满意的服务、共创美好家园！
公司主营原装进口电子元器件：Infineon（英飞凌），Semikron（西门康），IXYS（艾赛斯）,SANREX(三社)，FUJI（富士），Mitsubishi （三菱），Siemens（西门子），Bussmann（巴斯曼），Westcode（西玛），美国IR 、（Microsemi）美高森美日之出等厂家IGBT可控硅功率半导体模块、晶闸管、二管、整流桥、熔断器等，本公司商品均为正品，实物实拍，优势现货，大量库存~品种齐全、价格优惠、欢迎咨询！!
快恢复二管是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二管，主要应用于开关电源、脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二管、续流二管或阻尼二管使用。
快恢复二管注意事项：
1、有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的；
2、若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用；
3、测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V)。
整流二管常用参数：
1、大平均整流电流IF：指二管长期工作时允许通过的大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二管的IF为1A；
2、高反向工作电压VR：指二管两端允许施加的大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V；
3、大反向电流IR：它是二管在高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二管质量越好；
4、击穿电压VB：指二管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值；
5、高工作频率fm：它是二管在正常情况下的高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率**过fm，则二管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二管的fm为3kHz。另有快恢复二管用于频率较高的交流电的整流，如开关电源中；
6、反向恢复时间trr：指在规定的负载、正向电流及大反向瞬态电压下的反向恢复时间；
7、零偏压电容CO：指二管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA。
