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单晶硅片研磨抛光氧化铝粉 机械强度高 耐酸碱腐蚀性好
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淄博众力达新材料有限责任公司
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关 键 词：单晶硅片研磨抛光氧化铝粉
行 业：化工 塑料 塑料助剂
发布时间：2023-09-16
半导体硅片研磨抛光用平板状（片状）氧化铝微粉性能指标：
产品名称 dv-0值 dv-3 值 dv-50 值 dv-94值
MCA40 <77.6 39-44.6 27.7-31.7 18-20
MCA35 <64.2 35.4-39.8 23.8-27.2 15-17
MCA30 <50.4 28.1-32.3 19.2-22.3 13.4-15.6
MCA25 <40.1 24.4-28.2 16.1-18.7 9.6-11.2
MCA20 <32.0 20.9-24.1 13.1-15.3 8.2-9.8
MCA15 <25.2 14.8-17.2 9.4-11 5.8-6.8
MCA12 <20.3 11.8-13.8 7.6-8.8 4.5-5.3
MCA09 <16.3 8.9-10.5 5.9-6.9 3.3-3.9
MCA05 <12.5 6.6-7.8 4.3-5.1 2.55-3.05
MCA03 <10.0 4.8-5.6 2.8-3.4 1.5-2.1
MCA01 <5.0 2.3-2.6 0.95-1.05 0.42-0.55
MCA00 <3.0 0.9-1.1 0.48-0.53 0.16-0.20
WCAY半导体研磨抛光减薄用片状氧化铝粉是以工业氧化铝粉为原料，采用特别生产工艺处理，生产出来的氧化铝抛光粉晶体形状呈六角平板状，因而称之为平板状氧化铝或片状氧化铝，用片状氧化铝粉的氧化铝纯度99%以上，具有耐热，耐腐蚀，硬度高的特点，与传统磨料球形颗粒不同，片状氧化铝粉的底面平整，研磨时颗粒贴合工件表面，产生滑动的研磨效果，避免了颗粒尖角对工件表面的划伤，另一方面，片状氧化铝粉进行研磨时，研磨压力是均匀分布在颗粒表面，颗粒不易破碎，从而提高了研磨效率和表面光洁度，对于半导体材料如半导体硅片，片状氧化铝粉的应用，可以减少磨削时间，大幅提高研磨效率，减少磨片机的损耗，节省人工和磨削成本，提高磨削合格率。
WCAY半导体研磨抛光减薄用片状氧化铝粉是近年来出现的一种性能优良的功能微粉材料，它属于a-AI2O03，具有明显的鳞状结构特征和较大的径厚比，目前，片状氧化铝粉晶粒的径向尺度一般为5-50 um，厚度般在10-500 nm之间，晶型发育良好的微粒还表现出规则的六角形貌，片状氧化铝粉具有坚硬的晶体结构和平齐的板状结构，粉体微粒排列整齐，可以使磨料与产品间的磨擦力加大，加快了磨削速度，可以大大缩减工厂实际生产过程中磨片机的数量、人工成本和磨削时间。
WCAY半导体研磨抛光减薄用片状氧化铝粉与其它氧化铝研磨抛光微粉的区别是片状，硬度高，粒度均匀，其特点为：
1、形状为平板状，即片状，使磨擦力加大，提高了磨削速度，提高了工效，因此可减少磨片机的数量、人工和磨削时间；
2、由于形状为平板状，故对于被磨对象（如半导体硅片等）来说不易划伤，合格品率可提高10%至15%，如半导体硅片，其合格品率一般能达到90%以上；
3、由于硬度比普通氧化铝研磨抛光微粉高，故用量比普通氧化铝研磨抛光微粉要少，如果磨同样数量的产品，其用量比普通氧化铝研磨抛光微粉要节约40%至50%；
4、由于平板型氧化铝研磨抛光微粉的优良性能，故加工的产品合格品率高，质量稳定，生产成本只有原来的50%-60%。
WCAY半导体研磨抛光减薄用片状氧化铝粉的使用注意事项：
1、抛光前，将少量的粉末撒在抛光布上，并用蒸馏水湿润；
2、抛光时，垂直并稳稳的握住电极(不要太用力)，如果抛光布变干了，添加蒸馏水后再继续抛光；
3、在使用更小的氧化铝粉末之前，完全清洗电极并且用水完全清洗自己的手；
4、如果不小心把大粉末撒到小粉末抛光布上时，将无法获得小粉末所能达到的效果；
5、在手持干燥粉末时，必须小心，不要将大粉末装入到小粉末瓶中；
6、不要随意交换粉末瓶套(盖)，在从瓶中取铝粉末时，对于不同的瓶子使用不同的勺子来取；
7、不要用湿手触摸，不要漏出，漏出时请即时清扫干净。
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