高速计数型光电开关 数字化驱动
价格：6666.00起
四川梓冠光电科技有限公司
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SIMOX技术的优点是：能形成比较均匀的埋层氧化物Burried Oxide—BOX，因为可以通过控制注入能量来控制BOX上硅的厚度；BOX与**层硅之间的界面也平整。SIMOX技术的缺点是：BOX和**层硅的厚度只能在有限的范围内进行调整，BOX的厚度通常不**过240nm（厚度太薄会导致**层与衬底击穿，**层硅薄膜和衬底之间的寄生电容会增加），而**层硅薄膜厚度不**过300nm（厚度不够，需要进行硅的外延来补足，然后CMP平坦化处理，成本过高）；另外，SIMOX还会造成表层薄膜损伤，**层硅薄膜的晶体质量不及体单晶硅，埋层SiO2的晶体质量不如热氧化生长的SiO2；SIMOX需要用上昂贵的大束流注氧离子注入机，还需要长时间的高温退火工艺，成本较高。
为了对短时间大视场一维光强信息进行采集,采用编码转换技术和自聚焦透镜矩形阵列设计了光开关,用小口径电光晶体实现了大视场的测量.采用MOS管级联的高压同步电路,使得系统具有结构紧凑、性价比高、寿命长等优点.实验结果表明:开关选通时间100±5 ns,前后沿小于25 ns,消光比1 100∶1
详情介绍：
高速光开关阵列的特点：本系列光开关产品为集成式低损耗，无阻断高速光开关阵列，可用于高速光切换，网络配置及光学包交换。
高集成化光开关，作为实现全光交换功能的核心部件，目前国内普遍采用单器件级联拼接的方式实现矩阵化。这种方案在其指标、工艺要求、产品可靠性及成本等方面形成瓶颈，导致国内全光交换应用在推广性、发展难以突破。
NxN可定制通道
提供差损类型，差损<3dB, <2dB可以定制。
可定制**小尺寸
大多数光电类型使用pn结，而基于Si或Ge的结称为Si电池或Ge电池。由于具有从可见光到近红外的良好特性，因此具有广泛的应用范围。当以施加反向偏置电压并取出电流的方式使用光伏器件时，其具有的测量特性。通常称为光电二管，它越来越多地代替光电倍增管。光电晶体管使用与光电二管相同的检测方法，但结合了用于放大输出的机制。
