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深圳市鑫鼎精密陶瓷有限公司
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氮化铝陶瓷相较其他陶瓷材料，与硅相匹配的热膨胀系数，加上很好的热导性，更有利于应用于电子产业。根据《AlN陶瓷热导率及抗弯强度影响因素研究的新进展》的研究中提到，AlN因其热膨胀系数与Si匹配度高而被关注，而传统的基板材料如Al2O3由于其热导率低，其值约为AlN陶瓷的1/5且线膨胀系数与Si不匹配，已经不能够满足实际需求，深圳抗氧化氮化铝陶瓷板。BeO与SiC陶瓷基板的热导率也相对较高，但BeO毒性高，SiC绝缘性不好，深圳抗氧化氮化铝陶瓷板，深圳抗氧化氮化铝陶瓷板。而AlN作为一种新型高导热陶瓷材料，具有热膨胀系数与Si接近、散热性能优良、无毒等特性，有望成为替代电子工业用陶瓷基板Al2O3、SiC和BeO的较好材料。源头厂家氮化铝陶瓷零件加工---鑫鼎精密。深圳抗氧化氮化铝陶瓷板
用氮化铝陶瓷做成的零件具有以下用途：
1.在冶金工业上制作坩埚，马弗炉炉膛，燃烧嘴，发热体夹具，铸模，铝业导管，热电偶保护套管，铝电解槽衬里等热工设备上的部件。
2.在机械制作工业制作高速车刀，轴承，金属部件热处理的支承件，转子发动机刮片，燃气轮机的导向叶片和涡轮叶片。
3.在化学工业上用作球阀，泵体，密封环，过滤器，热交换器部件以及固定化触媒载体，燃烧舟，蒸发皿。
4.在半导体、航空、原子能等工业用于制造开关电路基片，薄膜电容器，承高温或温度巨变的电绝缘体，雷达电线罩，导弹尾喷管，原子反应堆中的支承件和隔离件，核裂变物质的载体。
5.在医药工业中可做人工关节。 深圳抗氧化氮化铝陶瓷板氮化铝陶瓷厂家哪家好？推荐鑫鼎！
氮化铝陶瓷AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数（4.0-6.0）X10-6/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的较热。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有较好的耐侵蚀性。
为了降低氮化铝陶瓷的烧结温度，促进陶瓷材料的致密化，可以利用热压烧结制备氮化铝陶瓷。我们口中所说的热压烧结,其实就是在一定压力下烧结陶瓷，可以使加热烧结和加压成型同时进行。在高温下坯体持续受到压力作用，粉末原料处于热塑性状态，有利物质的流动和扩散，并且外加压力抵消了形变阻力促进了粉末颗粒之间的接触。热压烧结陶瓷晶体内容易产生晶格畸变，由于热压烧结较常压烧结烧结温度低,但是它的保温时间是比较短的，所以晶颗较细小。由于热压烧结所制备的氮化铝陶瓷致密化程度高，气孔率小，很多学者都对氮化铝的热压烧结进行了研究。定制氮化铝陶瓷圆棒加工厂家--鑫鼎陶瓷。
氮化铝的理论密度为3100±10kg/m3，实际测得α- Si3N4的真比重为3184 kg/m3，β- Si3N4的真比重为3187 kg/m3。氮化铝陶瓷的体积密度因工艺而变化较大，一般为理论密度的80%以上，大约在2200～3200 kg/m3之间，气孔率的高低是密度不同的主要原因，反应烧结氮化铝的气孔率一般在20%左右，密度是2200～2600 kg/m3，而热压氮化铝气孔率在5%以下，密度达3000～3200 kg/m3，与用途相近的其他材料比较，不仅密度低于所有高温合金，而且在高温结构陶瓷中也是密度较低的一种。专注氮化铝陶瓷结构零件。深圳抗氧化氮化铝陶瓷板
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氮化铝陶瓷基板是目前市面上需求较大的陶瓷基板之一.氮化铝陶瓷基板导热可以去掉190W甚至更高。
半导体方面集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换等领域都需要较好的散热功能，普通FR4玻纤板导热很低，容易导致线路板短路等问题。氮化铝陶瓷基板较好导热性能和电器性能能解决应用产品出现散热不足的问题。
随着通讯领域迭代升级步伐不断加速，4G进入后周期，5G将助氮化铝陶瓷基板行业进一步发展繁荣陶瓷基板市场。5G通讯射频领域前端主要包括天线振子、高频5G氮化铝陶瓷基板、滤波器和PA(功率放大器)等重要部件 深圳抗氧化氮化铝陶瓷板
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