集成光开关阵列芯片 光网络监控与保护 四川梓冠光电
价格：6666.00起
四川梓冠光电科技有限公司
联系人：胡小姐
电话：18981109381
地址：四川省绵阳市经开区电子制造产业园16栋3楼
SOS工艺集成电路造价昂贵，不适合民用，人们利用工艺制程，在衬底和表面硅薄层之间插入一层绝缘层材料，研发出新的绝缘体上硅（SOI）材料：表面硅薄层—二氧化硅绝缘层材料—硅衬底，集成电路制备在表面硅薄层上。利用SOI材料制造集成电路的技术称为SOI技术。体硅衬底晶圆或者SOS晶圆，都是沿着底部单晶衬底的晶格外延生长出来的，但在SOI中，氧化物上方无法生长单晶，制造SOI晶圆，需要利用嵌入或者键合的方法形成埋层氧化物，以隔开**层硅薄膜层和硅衬底。
为了对短时间大视场一维光强信息进行采集,采用编码转换技术和自聚焦透镜矩形阵列设计了光开关,用小口径电光晶体实现了大视场的测量.采用MOS管级联的高压同步电路,使得系统具有结构紧凑、性价比高、寿命长等优点.实验结果表明:开关选通时间100±5 ns,前后沿小于25 ns,消光比1 100∶1
NxN可定制通道
提供差损类型，差损<3dB, <2dB可以定制。
可定制**小尺寸
高集成化光开关，作为实现全光交换功能的核心部件，目前国内普遍采用单器件级联拼接的方式实现矩阵化。这种方案在其指标、工艺要求、产品可靠性及成本等方面形成瓶颈，导致国内全光交换应用在推广性、发展难以突破。
品名称：NxN速光开关
产品简介：
高速铌酸速光开光具有的开关速度（标准产品是10ns，速产品为<100ps），较低的插损（标准插损3.5dB，插损型号为2dB），高开关速率为亚纳秒，标准产品为10ns开关速率，产品也适合领域的微波通信用途。通道数可定制！
雪崩光电探测器（APD）
产品特性：
高速响应达GHz
封装尺寸小：50 x 50 x 45 mm
400-1000 nm /850-1650 nm波长可选
增益连续可调：1x to 100x (ADP210)
1x to 10x (ADP310)
SM05适配器
