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关 键 词:杭州进口IGBT模块批发
行 业:电子 电子有源器件 电子可控硅
发布时间:2023-06-22
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双型晶体管芯片)与FWD(续流二管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;
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斩波IGBT:FD400R12KF4、FD400R16KF4、FD400R17KF6B2、FD400R33KF1、FD600R12KF4、FD600R17KF6B2、FD600R17KF6、FD800R17KF6B2、FD800R33KF1。
四单元IGBT:F4-300R12KF4、F4-400R12KF4、F4-400R12KS4-B2。IGBT:1U(单管)BSM200GA120DN2、BSGA120DN2、BSM400GA120DN2、BSM200GA170DN2、BSGA170DN2、BSM100GAL120D、BSM100GAR120D、BSM150GAL120D、BSM150GAR120D、BSM200GAL120D、BSM200GAR120D、BSM400GA120DN2(DLC)、BSM400GA170DN2(DLC)。
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在使用IGBT模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸; 在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块; 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅驱动电压没有**过栅大额定电压,但栅连线的寄生电感和栅与集电间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外,在栅—发射间开路时,若在集电与发射间加上电压,则随着集电电位的变化,由于集电有漏电流流过,栅电位升高,集电则有电流流过。这时,如果集电与发射间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。