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瞬态电压抑制二极管（Transient Voltage Suppressor）简称TVS广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流 器、家用电器，江西径向插件TVS结电容、仪器仪表（电度表）、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN，江西径向插件TVS结电容、ADSL、USB、MP3，江西径向插件TVS结电容、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF 耦合/IC 驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速 器、工控回路、继电器、交换机，工控设备，汽车电子、接触器噪音的抑制等各个领域。TVS的失效模式通常为短路失效模式。江西径向插件TVS结电容
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PN 结构成了几乎所有半导体功率器件的基础，常用的半导体功率器件如DMOS，IGBT，SCR 等的反向阻断能力都直接取决于 PN 结的击穿电压，因此，PN 结反向阻断特性的优劣直接决定了半导体功率器件的可靠性及适用范围。在 PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下，一般认为除 super junction 之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有比较高的击穿电压。实际的功率半导体器件的制造过程一般会在 PN 结的边缘引入球面或柱面边界，该边界位置的击穿电压低于平行平面结的击穿电压，使功率半导体器件的击穿电压降低。由此产生了一系列的结终端技术来消除或减弱球面结或柱面结的曲率效应，使实际制造出的 PN 结的击穿电压接近或等于理想的平行平面结击穿电压。
当 PN 结的反向偏压较高时，会发生由于碰撞电离引发的电击穿，即雪崩击穿。存在于半导体晶体中的自由载流子在耗尽区内建电场的作用下被加速其能量不断增加，直到与半导体晶格发生碰撞，碰撞过程释放的能量可能使价键断开产生新的电子空穴对。新的电子空穴对又分别被加速与晶格发生碰撞，如果平均每个电子（或空穴）在经过耗尽区的过程中可以产生大于 1 对的电子空穴对，那么该过程可以不断被加强，**终达到耗尽区载流子数目激增，PN 结发生雪崩击穿。车规级TVS的制作工艺更加严格，一般要用车规级的硅片。
系列名**不同的峰值脉冲功率和封装形式①SMAJ、SMBJ、SMCJ、SMDJ表示贴片封装：分别**的峰值脉冲功率为400W、600W、1500W和3000W；②其它系列名表示同轴引线封装：P4KE为400W、P6KE为600W、1.5KE为1500W，SA为500W、3KP为3000W，其余类推（型号名KP或KPA前面的数字表示kW数）。系列名后的数字**击穿电压标称值或反向断态电压值①P4KE、P6KE、1.5KE系列中**击穿电压标称值（VBR）；②其它系列中**反向断态电压值（VRWM）。A表示单向，CA表示双向。注意：SAC（500W）、LCE（1500W）系列是低电容的TVS管，只有单向，没有双向。600W的TVS产品一般贴片为SMB封装或者插件DO-15封装。江西贴片TVS原理
TVS是一种高可靠的过压保护器件，具有诸多优点。来明电子可提供全系列TVS产品。江西径向插件TVS结电容
当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以较高的速度（比较高达1/(10^12)秒）使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。如果是使用的话，TVS有二极管类，和压敏电阻类。我个人认为压敏电阻类更有优势，***用于手机，LCD模组，及一些比较精密的手持设备。特别是出口欧洲的产品一般都要加，来作为静电防护的主要手段之一。。。。。。。。江西径向插件TVS结电容
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