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针对上述复杂图谱，常规拟合方法较难取得好的拟合效果，而采用Avantage软件中*有的NLLSF拟合功能可得到较好的拟合结果，下面我们来讲解一下如何进行拟合，例如，对于此电容器样品，要想进行NLLFS拟合，我们需要获得纯Co(OH)2的窄扫参考谱图，即没有Ni(OH)2俄歇峰干扰的谱图；Ni(OH)2在Co元素结合能范围段（770~820ev）的俄歇参考谱图，即不含Co(OH)2干扰的谱图，如下图2。
实用XPS定量分析方法可以概括为标样法、元素灵敏度因子法和一级原理模型，目前XPS定量分析多采用元素灵敏度因子法，该方法利用特定元素谱线强度作参考标准，测得其它元素相对谱线强度，求得各元素的相对含量，根据谱峰形状，结合文献对O1s进行峰拟合，分别是530eV左右的ZnO晶格O的峰(OL)、531，XPS常用AlKα或者MgKαX射线为激发源，能检测周期表中除氢、氦以外的所有元素，一般检测限为0。
当用XPS测量绝缘体或者半导体时，由于光电子的连续发射而得不到电子补充，使得样品表面出现电子亏损，这种现象称为“荷电效应”，荷电效应将使样品表面出现一稳定的电势Vs，对电子的逃离有一定束缚作用，因此荷电效应将引起能量的位移，使得测量的结合能偏离真实值，造成测试结果的偏差，高分辨谱经过分峰拟合之后，就可以用来确定元素的化学态了，或者通过反应前后样品的高分辨谱图对比来得到其表面电子结构的变化信息等等。