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发布时间：2023-03-14
游离二氧化硅化验 单质硅、碳化硅品位化验
游离二氧化硅、单质硅、碳化硅的测定
对于含有游离二氧化硅、单质硅及碳化硅量的方法都比较繁杂。而碳化硅制品中总硅含量较高(以Si02计其质量分数常大于100)，因此，没有可套用的标准且测定误差较大，结果不可靠，根据碳化硅不溶于氢氟酸硝酸及单质硅不溶于氢氟酸的原理，制定了氢氟酸挥散重量法联系测定游离二氧化硅、单质硅、碳化硅的方法，可提高功效近3倍，其准确度也有所提高。
1灼烧温度试验.
利用氢氟酸挥散以除去二氧化硅及单质硅的测定方法比较成熟的，但对于含碳化硅耐火材料及原料，由于含有--定的游离碳，要在保证碳化硅不分解的条件
下去除游离碳及四氟化硅，灼烧温度的选择是比较重要的。
称取一定量游离石墨碳及纯碳化硅的混合物，在高温炉中，以怀同温度进行灼烧试验以测定碳化硅回收量，结果见表1
由表2可见，当灼烧温度低于850'C，由于游离碳(特别含石墨碳时)未能灼烧完全，结果偏高。在900-1050°C时，所测碳化硅含量与加入量吻合，说明游离碳已灼烧完全。当灼烧温度>1100C时，回收值偏高，说明有部分碳化硅分解成二氧化硅。由此，选择灼烧温度为(900士50)C较为合适。此外，在温度
下四氟化硅也可挥散完全。
称取含- -定量二氧化硅、单质硅、碳化硅的混合样，用选定的方法进行回收试验，结果见表2.