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鹏城半导体技术（深圳）有限公司
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PECVD（等离子体增强化学的气相沉积）设备主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。 设备用途和功能特点 1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备，主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。 2设备保护功能强，具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。 3.配置尾气处理装置。 PECVD设备类型：单室PECVD设备、五室PECVD设备、六室太阳能薄膜电池设备、PECVD+磁控溅射 设备安全性设计 1、电力系统的检测与保护 2、设置真空检测与报警保护功能 3、温度检测与报警保护 4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护 设备技术指标 类型 参数 样片尺寸 ≤φ8英寸(或3片2英寸) 样片加热台加热温度 室温~600℃±0.1℃ 真空室极限真空 ≤7×10-5Pa 工作背景真空 ≤8×10-4Pa 设备总体漏放率 停泵12小时后，真空度≤10Pa 样品、电极间距 5mm~50mm在线可调 工作控制压强 10Pa~1500Pa 气体控制回路 根据工艺要求配置 单频电源的频率 13.56MHz 双频电源的频率 13.56MHz/400KHz 工作条件 类型 参数 供电 三相五线制 AC 380V 工作环境温度 10℃~40℃ 气体阀门供气压力 0.5MPa~0.7MPa 质量流量控制器输入压力 0.05MPa~0.2MPa 冷却水循环量 0.6m3/h 水温18°C~25℃ 设备总功率 7kW 设备占地面积 2.0m~2.0m 关于鹏城半导体 鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术qian*yan与市场qian*yan的交叉点，寻求chuang*xin*yin*ling与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。 公司he*xin业务是微纳技术与gao duan精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。 公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为he*xin的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的gao*ji装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。 公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备xian*jin的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。 公司已投放市场的部分半导体设备 |物li*qi相沉积（PVD）系列 磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，激光沉积设备PLD、离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机 |化学气相沉积（CVD）系列 MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等离子体CVD、热丝CVD、原子层沉积设备ALD |chao 高真空系列 分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE） |成套设备 团簇式太阳能薄膜电池中试线、OLED中试设备（G1、G2.5） |其他 金刚石薄膜制备设备、合金退火炉、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备 |真空镀膜机zhuan*yong电源/真空镀膜机控制系统及软件 直流溅射电源、RF射频溅射电源、gao*jing*du热蒸发电源、高能直流脉冲电源（中频可调脉宽） 团队部分业绩分布 完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE*chao高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子qiang、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。 设备于2005年在浙江大学光学仪器guo*jia*zhong*dian实验室投入使用，至今仍在正常使用。 设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。 设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。 设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位guo*jia光电实验室。 设计制造了OLED*you*ji半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位中国香港城市大学xian*jin材料实验室。 设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学guo*jia硅基LED工程技术研究中心。 设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。 设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。 团队在di三代半导体装备及工艺方面的技术积累 2001年 与南昌大学合作 设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。 2005年 与浙江大学光学仪器guo*jia*zhong*dian实验室合作 设计制造了di*yi台完全自主zhi*shi*chan*quan的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。 2006年 与中国科技大学合作 设计chao高温CVD 和MBE。 用于4H晶型SiC外延生长。 2007年 与兰州大学物理学院合作 设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。 2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学guo*jia（联合）实验室合作 设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。 2017年 -优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。 -开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。 2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。 2021年 MBE生产型设计。 2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。 2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。