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鹏城半导体技术（深圳）有限公司
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LPCVD（低压力化学气相沉积）设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。 设备结构及特点： 1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本 两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。 基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。 基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。 2、设备为水平管卧式结构 由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。 反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用；设备电控部分采用了xian jin的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、ke kao。 设备主要技术指标 类型 参数 成膜类型 Si3N4、Poly-Si、SiO2等 较高温度 1200℃ 恒温区长度 根据用户需要配置 恒温区控温精度 ≤±0.5℃ 工作压强范围 13～1330Pa 膜层不均匀性 ≤±5％ 基片每次装载数量 标准基片:1～3片;不规则尺寸散片:若干 压力控制 闭环充气式控制 装片方式 手动进出样品 生产型LPCVD设备 设备功能 该设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。 可提供相关镀膜工艺。 设备主要技术指标 类型 参数 成膜类型 Si3N4、Poly-Si、SiO2等 较高温度 1200℃ 恒温区长度 根据用户需要配置 恒温区控温精度 ≤±0.5℃ 工作压强范围 13～1330Pa 膜层不均匀性 ≤±5％ 基片每次装载数量 100片 设备总功率 16kW 冷却水用量 2m3/h 压力控制 闭环充气式控制 装片方式 悬臂舟自动送样 设备结构及特点 设备为水平管卧式结构，由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。 反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用；设备电控部分采用了xian jin的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、ke kao。 整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。 关于鹏城半导体 鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术qian*yan与市场qian*yan的交叉点，寻求chuang*xin*yin*ling与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。 公司he*xin业务是微纳技术与gao duan精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。 公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为he*xin的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的gao*ji装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。 公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备xian*jin的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。 公司已投放市场的部分半导体设备 |物li*qi相沉积（PVD）系列 磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机 |化学气相沉积（CVD）系列 MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机 |chao 高真空系列 分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE） |成套设备 团簇式太阳能薄膜电池中试线、OLED中试设备（G1、G2.5） |其他 金刚石薄膜制备设备、合金退火炉、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备 |真空镀膜机zhuan*yong电源/真空镀膜机控制系统及软件 直流溅射电源、RF射频溅射电源、gao*jing*du热蒸发电源、高能直流脉冲电源（中频可调脉宽） 团队部分业绩分布 完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE*chao高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子qiang、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。 设备于2005年在浙江大学光学仪器guo*jia*zhong*dian实验室投入使用，至今仍在正常使用。 设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。 设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。 设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位guo*jia光电实验室。 设计制造了OLED*you*ji半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位中国香港城市大学xian*jin材料实验室。 设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学guo*jia硅基LED工程技术研究中心。 设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。 设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。 团队在di三代半导体装备及工艺方面的技术积累 2001年 与南昌大学合作 设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。 2005年 与浙江大学光学仪器guo*jia*zhong*dian实验室合作 设计制造了di*yi台完全自主zhi*shi*chan*quan的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。 2006年 与中国科技大学合作 设计chao高温CVD 和MBE。 用于4H晶型SiC外延生长。 2007年 与兰州大学物理学院合作 设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。 2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学guo*jia（联合）实验室合作 设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。 2017年 -优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。 -开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。 2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。 2021年 MBE生产型设计。 2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。 2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。