IPD50P04P4L-11 全新原装MOS场效应管 P沟道 40V 50A TO-252
价格：3起
产品规格：TO-252
产品数量：30000 个
包装说明：盘装
关 键 词：IPD50P04P4L-11
行 业：电子 电子有源器件 **集成电路
发布时间：2023-02-22
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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源较击穿电压: 40 V
Id-连续漏较电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 17.2 mOhms
Vgs - 栅较-源较电压: - 16 V, + 5 V
Vgs th-栅源较阈值电压: 1.2 V
Qg-栅较电荷: 45 nC
较小工作温度: - 55 C
较大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 58 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS-P2
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 39 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IPD5P4P4L11XT SP000671156 IPD50P04P4L11ATMA1
单位重量: 330 mg
